IRLW630ATM detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
IRLW630ATM |
| Teilstatus |
Obsolete |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
27nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
755pF @ 25V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
3.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
400 mOhm @ 4.5A, 5V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Through Hole |
| Lieferantengerätepaket |
I2PAK |
| Paket / Fall |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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