• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › FDP032N08B_F102
FDP032N08B_F102

FDP032N08B_F102 - Fairchild/ON Semiconductor

品番
FDP032N08B_F102
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FDP032N08B_F102 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
745 pcs
参考価格
USD 2.72/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください FDP032N08B_F102

FDP032N08B_F102 詳細な説明

品番 FDP032N08B_F102
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 144nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10965pF @ 40V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 263W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 3.3 mOhm @ 100A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

関連製品 FDP032N08B_F102

画像 品番 メーカー 説明 見る
FDP030N06 FDP030N06 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 120A TO220 詳細
FDP030N06B-F102 FDP030N06B-F102 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 詳細
FDP030N06B_F102 FDP030N06B_F102 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 詳細
FDP032N08 FDP032N08 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 詳細
FDP032N08-F102 FDP032N08-F102 ON Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220 詳細
FDP032N08B-F102 FDP032N08B-F102 ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 詳細
FDP032N08B_F102 FDP032N08B_F102 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 詳細
FDP032N08_F102 FDP032N08_F102 Fairchild/ON Semiconductor PT3 MV 75V 3.2MOHM FOR DELTA 詳細
FDP036N10A FDP036N10A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 詳細
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB 詳細