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FDD86113LZ - Fairchild/ON Semiconductor

品番: FDD86113LZ
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: FDD86113LZ PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 45524 pcs
参考価格: USD 0.5698/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

FDD86113LZ 詳細な説明

品番	FDD86113LZ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	285pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	3.1W (Ta), 29W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	104 mOhm @ 4.2A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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