EPC2019

EPC2019 - EPC

品番
EPC2019
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
67500 pcs
参考価格
USD 1.9404/pcs
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EPC2019 詳細な説明

品番 EPC2019
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8.5A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 1.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 2.5nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 270pF @ 100V
Vgs(最大) +6V, -4V
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 50 mOhm @ 7A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die
重量 -
原産国 -

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