EPC2019 Descripción detallada
| Número de pieza |
EPC2019 |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
8.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 1.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
2.5nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
270pF @ 100V |
| Vgs (Max) |
+6V, -4V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
- |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
50 mOhm @ 7A, 5V |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
Die |
| Paquete / caja |
Die |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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