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ZXMN6A09KQTC - Diodes Incorporated

品番: ZXMN6A09KQTC
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: ZXMN6A09KQTC PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: ZXMN6A09KQTC.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 33656 pcs
参考価格: USD 0.7763/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

ZXMN6A09KQTC 詳細な説明

品番	ZXMN6A09KQTC
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11.8A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	29nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1426pF @ 30V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	10.1W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	40 mOhm @ 7.3A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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