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ZXMN10A11GTA - Diodes Incorporated

品番: ZXMN10A11GTA
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: ZXMN10A11GTA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: ZXMN10A11GTA.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 78606 pcs
参考価格: USD 0.3404/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

ZXMN10A11GTA 詳細な説明

品番	ZXMN10A11GTA
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1.7A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	6V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	5.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	274pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	2W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	350 mOhm @ 2.6A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-223
パッケージ/ケース	TO-261-4, TO-261AA
重量	-
原産国	-

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