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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › DRDNB26W-7
DRDNB26W-7

DRDNB26W-7 - Diodes Incorporated

品番
DRDNB26W-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4126 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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DRDNB26W-7 詳細な説明

品番 DRDNB26W-7
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased + Diode
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 600mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 220
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） 4.7k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 200MHz
電力 - 最大 200mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SOT-363
重量 -
原産国 -

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