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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › DRDNB26W-7
DRDNB26W-7

DRDNB26W-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DRDNB26W-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DRDNB26W-7 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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DRDNB26W-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DRDNB26W-7
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Corrente - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 220
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 200MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
Peso -
Paese d'origine -

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