| 品番 | DMTH8012LPSW-13 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 53.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 17 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1949pF @ 40V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.1W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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DMTH8003SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | 詳細 |
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DMTH8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 50A TO252 | 詳細 |
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DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 80V 50A TO252 | 詳細 |
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DMTH8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8 | 詳細 |
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DMTH8012LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 80V 10A POWERDI | 詳細 |
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DMTH8012LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506 | 詳細 |
