DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMTH8012LPSW-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.41967/pcs
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DMTH8012LPSW-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMTH8012LPSW-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 53.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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