• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN63D1LW-7
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7 - Diodes Incorporated

品番
DMN63D1LW-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN63D1LW-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
397500 pcs
参考価格
USD 0.0556/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7 詳細な説明

品番 DMN63D1LW-7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 380mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.3nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 30pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 310mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-323
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
重量 -
原産国 -

関連製品 DMN63D1LW-7

画像 品番 メーカー 説明 見る
DMN600V DMN600V DIODES DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 詳細
DMN600V-7 DMN600V-7 DIODES DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 詳細
DMN6013LFG-13 DMN6013LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 詳細
DMN6013LFG-7 DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 詳細
DMN6013LFGQ-13 DMN6013LFGQ-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI 詳細
DMN6013LFGQ-7 DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI 詳細
DMN6017SFV-7 DMN6017SFV-7 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 詳細
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 詳細
DMN601DMK DMN601DMK DIODES DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks 詳細
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 詳細