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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › DMN63D1LW-7
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMN63D1LW-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DMN63D1LW-7 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
397500 pcs
Precio de referencia
USD 0.0556/pcs
Nuestro precio
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DMN63D1LW-7 Descripción detallada

Número de pieza DMN63D1LW-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 380mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-323
Paquete / caja SC-70, SOT-323
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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