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DMN3110LCP3-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN3110LCP3-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DSN1006
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN3110LCP3-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 155143 pcs
参考価格: USD 0.1672/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN3110LCP3-7 詳細な説明

品番	DMN3110LCP3-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.2A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.8V, 8V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	1.52nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	150pF @ 15V
Vgs（最大）	12V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.38W
Rds On（Max）@ Id、Vgs	69 mOhm @ 500mA, 8V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース	3-XFDFN
重量	-
原産国	-

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