品番 | DMN30H4D0LFDE-13 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 300V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 550mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.7V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.8V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 7.6nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 187.3pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 630mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2020-6 (Type E) |
パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
重量 | - |
原産国 | - |