DMN30H4D0LFDE-13 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
DMN30H4D0LFDE-13 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
300V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
550mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
2.7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.8V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
7.6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
187.3pF @ 25V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
630mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
4 Ohm @ 300mA, 10V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
U-DFN2020-6 (Type E) |
| Paket / Fall |
6-UDFN Exposed Pad |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMN30H4D0LFDE-13
