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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › DMN3016LDN-13
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13 - Diodes Incorporated

品番
DMN3016LDN-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN3016LDN-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
145101 pcs
参考価格
USD 0.1863/pcs
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DMN3016LDN-13 詳細な説明

品番 DMN3016LDN-13
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） -
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 11.3nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1415pF @ 15V
電力 - 最大 -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤデバイスパッケージ V-DFN3030-8 (Type J)
重量 -
原産国 -

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