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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › DMN3016LDN-13
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN3016LDN-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMN3016LDN-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
141076 pcs
Referenzpreis
USD 0.1863/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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DMN3016LDN-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN3016LDN-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V
Leistung max -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket V-DFN3030-8 (Type J)
Gewicht -
Ursprungsland -

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