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DMN2501UFB4-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN2501UFB4-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN2501UFB4-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 285000 pcs
参考価格: USD 0.1035/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN2501UFB4-7 詳細な説明

品番	DMN2501UFB4-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	82pF @ 16V
Vgs（最大）	±8V
FET機能	-
消費電力（最大）	500mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース	3-XFDFN
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
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	DMN2501UFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN	詳細
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