DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7 - Diodes Incorporated

品番
DMN2501UFB4-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
285000 pcs
参考価格
USD 0.1035/pcs
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DMN2501UFB4-7 詳細な説明

品番 DMN2501UFB4-7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 82pF @ 16V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-XFDFN
重量 -
原産国 -

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