DMN2501UFB4-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMN2501UFB4-7
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	82pF @ 16V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	500mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	X2-DFN1006-3
Paket / Fall	3-XFDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMN2500UFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN	Einzelheiten
DMN2501UFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN	Einzelheiten
DMN2550UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3	Einzelheiten
DMN25D0UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN	Einzelheiten