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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN2320UFB4-7B
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B - Diodes Incorporated

品番
DMN2320UFB4-7B
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN2320UFB4-7B PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
425000 pcs
参考価格
USD 0.1553/pcs
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DMN2320UFB4-7B 詳細な説明

品番 DMN2320UFB4-7B
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 950mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.89nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 71pF @ 10V
Vgs（最大） ±8V
FET機能 -
消費電力（最大） 520mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 320 mOhm @ 500mA, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-XFDFN
重量 -
原産国 -

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