DMN2320UFB4-7B - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN2320UFB4-7B
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.1553/pcs
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Número de pieza	DMN2320UFB4-7B
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.89nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	71pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 500mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / caja	3-XFDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN2300U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23	Detalles
DMN2300UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN	Detalles
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DMN2300UFD-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN	Detalles
DMN2300UFL4-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN	Detalles
DMN2320UFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3	Detalles