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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › DMG5802LFX-7
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7 - Diodes Incorporated

品番
DMG5802LFX-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMG5802LFX-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7500 pcs
参考価格
USD 0.1604/pcs
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DMG5802LFX-7 詳細な説明

品番 DMG5802LFX-7
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 24V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.5A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 31.3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1066.4pF @ 15V
電力 - 最大 980mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-VFDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ W-DFN5020-6
重量 -
原産国 -

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