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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › DMG5802LFX-7
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG5802LFX-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMG5802LFX-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1604/pcs
Il nostro prezzo
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DMG5802LFX-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG5802LFX-7
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1066.4pF @ 15V
Potenza - Max 980mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore W-DFN5020-6
Peso -
Paese d'origine -

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