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DMG3415UFY4Q-7 - Diodes Incorporated

品番: DMG3415UFY4Q-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMG3415UFY4Q-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 52500 pcs
参考価格: USD 0.166/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMG3415UFY4Q-7 詳細な説明

品番	DMG3415UFY4Q-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	16V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.5A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	10nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	282pF @ 10V
Vgs（最大）	±8V
FET機能	-
消費電力（最大）	650mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	39 mOhm @ 4A, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	X2-DFN2015-3
パッケージ/ケース	3-XFDFN
重量	-
原産国	-

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