DMG3415UFY4Q-7 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
DMG3415UFY4Q-7 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
16V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
10nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
282pF @ 10V |
Vgs (massimo) |
±8V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
650mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
39 mOhm @ 4A, 4.5V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
X2-DFN2015-3 |
Pacchetto / caso |
3-XFDFN |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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