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DMG10N60SCT - Diodes Incorporated

品番: DMG10N60SCT
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMG10N60SCT PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 18584 pcs
参考価格: USD 1.3888/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMG10N60SCT 詳細な説明

品番	DMG10N60SCT
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	12A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	35nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1587pF @ 16V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	-
消費電力（最大）	178W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

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