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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMG1013TQ-7
DMG1013TQ-7

DMG1013TQ-7 - Diodes Incorporated

品番
DMG1013TQ-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
361519 pcs
参考価格
USD 0.0727/pcs
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DMG1013TQ-7 詳細な説明

品番 DMG1013TQ-7
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 460mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.58nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 59.76pF @ 16V
Vgs（最大） ±6V
FET機能 -
消費電力（最大） 270mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 700 mOhm @ 350mA, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-523
パッケージ/ケース SOT-523
重量 -
原産国 -

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