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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › AONR21357
AONR21357

AONR21357 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

品番
AONR21357
メーカー
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
AONR21357 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
654412 pcs
参考価格
USD 0.2516/pcs
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AONR21357 詳細な説明

品番 AONR21357
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 21A (Ta), 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 7.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 70nC @ 10V
Vgs（最大） ±25V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2830pF @ 15V
FET機能 -
消費電力（最大） 5W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-DFN-EP (3x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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