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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › AONR21357
AONR21357

AONR21357 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza
AONR21357
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descripción
MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
AONR21357 Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
654412 pcs
Precio de referencia
USD 0.2516/pcs
Nuestro precio
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AONR21357 Descripción detallada

Número de pieza AONR21357
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 21A (Ta), 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2830pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN-EP (3x3)
Paquete / caja 8-PowerVDFN
Peso -
País de origen -

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