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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › ALD212900APAL
ALD212900APAL

ALD212900APAL - Advanced Linear Devices Inc.

品番
ALD212900APAL
メーカー
Advanced Linear Devices Inc.
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ALD212900APAL PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
ALD212900APAL.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
62 pcs
参考価格
USD 3.56/pcs
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ALD212900APAL 詳細な説明

品番 ALD212900APAL
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 10.6V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80mA
Rds On（Max）@ Id、Vgs 14 Ohm
Vgs（th）（Max）@ Id 10mV @ 20µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 30pF @ 5V
電力 - 最大 500mW
動作温度 0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース 8-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PDIP
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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ALD210800ASCL ALD210800ASCL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 詳細
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