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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › ALD212900APAL
ALD212900APAL

ALD212900APAL - Advanced Linear Devices Inc.

Numero di parte
ALD212900APAL
fabbricante
Advanced Linear Devices Inc.
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
ALD212900APAL Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
ALD212900APAL.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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62 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.56/pcs
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ALD212900APAL Descrizione dettagliata

Numero di parte ALD212900APAL
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id 10mV @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 5V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP
Peso -
Paese d'origine -

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