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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › ALD1110ESAL
ALD1110ESAL

ALD1110ESAL - Advanced Linear Devices Inc.

品番
ALD1110ESAL
メーカー
Advanced Linear Devices Inc.
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ALD1110ESAL PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
ALD1110ESAL.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7681 pcs
参考価格
USD 3.4122/pcs
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ALD1110ESAL 詳細な説明

品番 ALD1110ESAL
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 10V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 500 Ohm @ 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.01V @ 1µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2.5pF @ 5V
電力 - 最大 600mW
動作温度 0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
重量 -
原産国 -

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