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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › ALD1110ESAL
ALD1110ESAL

ALD1110ESAL - Advanced Linear Devices Inc.

Numéro d'article
ALD1110ESAL
Fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
ALD1110ESAL Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
ALD1110ESAL.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7607 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.4122/pcs
Notre prix
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ALD1110ESAL Description détaillée

Numéro d'article ALD1110ESAL
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.01V @ 1µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Puissance - Max 600mW
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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