VS-GT175DA120U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	VS-GT175DA120U
Stato parte	Active
Tipo IGBT	Trench
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	288A
Potenza - Max	1087W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)	100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	-
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VS-GT100DA120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 258A 893W SOT-227	Dettagli
VS-GT100DA120UF	Vishay Semiconductor Diodes Division	OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG	Dettagli
VS-GT100DA60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 184A 577W SOT-227	Dettagli
VS-GT100LA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227	Dettagli
VS-GT100NA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227	Dettagli
VS-GT100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GT100TP60N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GT105LA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227	Dettagli
VS-GT105NA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227	Dettagli
VS-GT120DA65U	Vishay Semiconductor Diodes Division	OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG	Dettagli