SUD50N02-06P-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SUD50N02-06P-E3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2550pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SUD50M02-12P	VISHAY	N-Channel 20-V (D-S) 175-LC MOSFET	Dettagli
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SUD50N02-06P	VISHAY	N-Channel 20-V (D-S) 175?MOSFET	Dettagli
SUD50N02-06P-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 50A TO252	Dettagli
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SUD50N02-09P-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V DPAK	Dettagli
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