SUD50N02-06P-E3 Descripción detallada
Número de pieza |
SUD50N02-06P-E3 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
50A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
30nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
2550pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
6.8W (Ta), 65W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
6 mOhm @ 20A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-252, (D-Pak) |
Paquete / caja |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA SUD50N02-06P-E3