SQJB68EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQJB68EP-T1_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	92 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 25V
Potenza - Max	27W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8 Dual
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SQJB60EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8	Dettagli
	SQJB68EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8	Dettagli