SQJB68EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQJB68EP-T1_GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 0.4264/pcs
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Número de pieza	SQJB68EP-T1_GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	92 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 25V
Potencia - Max	27W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SQJB60EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8	Detalles
	SQJB68EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8	Detalles