SQD19P06-60L_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQD19P06-60L_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1490pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 19A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SQD19P06-60L-GE3	VIS	SQD19P06-60L-GE3 VIS TO-252 New Original Stocks	Dettagli
SQD19P06-60L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 20A TO252	Dettagli
SQD19P06-60L_T4GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA	Dettagli