SQD19P06-60L_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQD19P06-60L_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1490pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	46W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	-
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SQD19P06-60L-GE3	VIS	SQD19P06-60L-GE3 VIS TO-252 New Original Stocks	Einzelheiten
SQD19P06-60L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 20A TO252	Einzelheiten
SQD19P06-60L_T4GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA	Einzelheiten