SQD100N03-3M4_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQD100N03-3M4_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7349pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SQD100N02-3M5L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA	Dettagli
SQD100N03-3M2L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA	Dettagli
SQD100N03-3M4_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA	Dettagli
SQD100N04-3M6L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA	Dettagli
SQD100N04-3M6_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA	Dettagli