SQD100N03-3M4_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQD100N03-3M4_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7349pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252AA
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SQD100N02-3M5L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA	Détails
SQD100N03-3M2L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA	Détails
SQD100N03-3M4_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA	Détails
SQD100N04-3M6L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA	Détails
SQD100N04-3M6_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA	Détails