SQ1421EDH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQ1421EDH-T1_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	355pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-70-6 (SOT-363)
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peso	-
Paese d'origine	-