SQ1421EDH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQ1421EDH-T1_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	355pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.3W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SC-70-6 (SOT-363)
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gewicht	-
Ursprungsland	-