SIRA50DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIRA50DP-T1-RE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	62.5A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	194nC @ 10V
Vgs (massimo)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8445pF @ 20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6.25W (Ta), 100W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SIRA50ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8	Dettagli
SIRA50DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8	Dettagli
SIRA52ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8	Dettagli
SIRA52DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8	Dettagli
SIRA52DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8	Dettagli
SIRA54DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A SO8	Dettagli
SIRA58ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V	Dettagli
SIRA58DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8	Dettagli