SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SIRA52ADP-T1-RE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.67978/pcs
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SIRA52ADP-T1-RE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SIRA52ADP-T1-RE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (massimo) +20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 4.8W (Ta), 48W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso PowerPAK® SO-8
Peso -
Paese d'origine -

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