| Numero di parte | SIRA18DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SIRA10BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V | Dettagli |
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SIRA10DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SIRA12BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V | Dettagli |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SIRA14BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8 | Dettagli |
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SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SIRA16DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8 | Dettagli |
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SIRA18ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO | Dettagli |
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SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SIRA18DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8 | Dettagli |
