SIRA14BDP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIRA14BDP-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Ta), 64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.38 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (massimo)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	917pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 36W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SIRA14BDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8	Dettagli
	SIRA14DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8	Dettagli