SIJA52ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIJA52ADP-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	41.6A (Ta), 131A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.63 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (massimo)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	4.8W (Ta), 48W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SIJA52ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L	Dettagli
	SIJA52DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L	Dettagli